2024-11-02 00:16:33
所采用的石墨原料片径大小、纯度高低等以及合成GO的方法不同,因此导致所合成出来的GO片的大小、片层厚度、氧化程度(含氧量)、表面电荷和表面所带官能团等不同。GO的生物毒性除了有浓度依赖性,还会因GO原料的不同而呈现出毒性数据的多样性,甚至结论相互矛盾[2-9]。此外,GO可能与毒性测试中的试剂相互作用,从而影响细胞活性试验数据的有效性,使其产生假阳性结果。如:Macosko与其合作者[10]的研究发现,在细胞活性试验中利用四甲基偶氮唑盐(MTT)试剂与GO作用,GO的存在可以减少蓝色产物的形成。因为在活细胞中,当MTT减少时就说明有同一种颜色产物的生成。因此,基于MTT法试验未能体现出GO的细胞毒性。但是他们利用另一种水溶性的四唑基试剂——WST-8(台酚蓝除外),就能对活细胞和死细胞的数量进行精确的评估。石墨烯以优异的声、光、热、电、力等性质成为各新型材料领域追求的目标。单层氧化石墨使用方法
光学材料的某些非线性性质是实现高性能集成光子器件的关键。光子芯片的许多重要功能,如全光开关,信号再生,超快通信都离不开它。找寻一种具有超高三阶非线性,并且易于加工各种功能性微纳结构的材料是众多的光学科研工作者的梦想,也是成功研制超高性能全光芯片的必由之路。超快泵浦探针光谱表明,重度功能化的具有较大SP3区域的GO材料在高激发强度下可以出现饱和吸收、双光子吸收和多光子吸收[6][50][51][52],这种效应归因于在SP3结构域的光子中存在较大的带隙。相反,在具有较小带隙的SP2域中的*出现单光子吸收。石墨烯在飞秒脉冲激发下具有饱和吸收[52],而氧化石墨烯在低能量下为饱和吸收,高能量下则具有反饱和吸收[51]。因此,通过控制GO氧化/还原的程度,实现SP2域到SP3域的比例调控,可以调整GO的非线性光学性质,这对于高次谐波的产生与应用是非常重要的。进口氧化石墨导电氧化石墨片层的厚度约为1.1 ± 0.2 nm。
氧化石墨烯/还原氧化石墨烯在光电传感领域的应用,其基本依据是本章前面部分所涉及到的各种光学性质。氧化石墨烯因含氧官能团的存在具备了丰富的光学特性,在还原为还原氧化石墨烯的过程中,不同的还原程度又具备了不同的性质,从结构方面而言,是其SP2碳域与SP3碳域相互分割、相互影响、相互转化带来了如此丰富的特性。也正是这些官能团的存在,使得氧化石墨烯可以方便的采用各种基于溶液的方法适应多种场合的需要,克服了CVD和机械剥离石墨烯在转移和大面积应用时存在的缺点,也正是这些官能团的存在,使其便于实现功能化修饰,为其在不同场景的应用提供了一个广阔的平台。
近年来研究者发现石墨烯由于它独特的零带隙结构,对所有波段的光都无选择性的吸收,且具有超快的恢复时间和较高的损伤阈值。因此利用石墨烯独特的非线性可饱和吸收特性将其制作成可饱和吸收体应用于调Q掺铒光纤激光器、被动锁模光纤激光器已经成为超快脉冲激光器研究领域的热点。2009年,Bao等[82]人使用单层石墨烯作为锁模光纤激光器的可饱和吸收体首先实现了通信波段的超短孤子脉冲输出,脉冲宽度达到了756fs。他们证实了由于泡利阻塞原理,零带隙材料石墨烯在强激光激发下可以容易的实现可饱和吸收,而且这种可饱和吸收是与频率不相关的,即石墨烯作为可饱和吸收体可实现对所有波长的光都有可饱和吸收作用。从微观方面,GO的聚集、分散、尺寸和官能团也对水泥基复合材料的力学性能有影响。
GO/RGO在光纤传感领域会有越来越多的应用,其基本的原理是利用石墨烯及氧化石墨烯的淬灭特性、分子吸附特性以及对金属纳米结构的惰性保护作用等,通过吸收光纤芯层穿透的倏逝波改变光纤折射率或者基于表面等离子体共振(SPR)效应影响折射率。GO/RGO可以在光纤的侧面、端面对光进行吸收或者反射,而为了增加光与GO/RGO层的相互作用,采用了不同光纤几何弯曲形状,如直型、U型、锥型和双锥型等。有铂纳米颗粒修饰比没有铂纳米颗粒修饰的氧化石墨烯薄膜光纤传感器灵敏度高三倍,为多种气体的检测提供了一个理想的平台。氧化石墨正式名称为石墨氧化物或被称为石墨酸,是一种由物质量之比不定的碳、氢、氧元素构成的化合物。开发氧化石墨膜
GO制备简单、自身具有受还原程度调控的带隙,可以实现超宽谱(从可见至太赫兹波段)探测。单层氧化石墨使用方法
石墨烯可与多种传统半导体材料形成异质结,如硅[64][65][66],锗[67],氧化锌[68],硫化镉[69]、二硫化钼[70]等。其中,石墨烯/硅异质结器件是目前研究**为***、光电转换效率比较高(AM1.5)的一类光电器件。基于硅-石墨烯异质结光电探测器(SGPD),获得了极高的光伏响应[71]。相比于光电流响应,它不会因产生焦耳热而产生损耗。基于化学气象沉积法(CVD)生长的石墨烯光电探测器有很多其独特的优点。首先有极高的光伏响应,其次有极小的等效噪声功率可以探测极微弱的信号,常见的硅-石墨烯异质结光电探测器结构如图9.8所示。单层氧化石墨使用方法